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ABB PCT二极管5STP 45N2800
Phase Control Thyristor5STP 45N2800VDRM=2800 VIT(*)M=5250 AIT(RMS)=8240 AITSM= 77.0·103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普
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2025-05-27 |
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ABB PCT二极管5STP 24H2800
Phase Control Thyristor5STP 24H2800VDRM=2800 VIT(*)M=2780 AIT(RMS)=4360 AITSM= 43.0·103AVT0=0.928 VrT=0.141 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普
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2025-05-26 |
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ABB PCT二极管5STP 16F2810
5STP 16F2810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 2800 V•IT*m= 1500 A•ITSM= 18000 A•VT0= 0.956 V•rT= 0.297 mΩ•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力
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2025-05-23 |
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ABB PCT二极管5STP 07D1800
Phase Control Thyristor5STP 07D1800VDRM=1800 VIT(*)M=760 AIT(RMS)=1190 AITSM= 9.0·103AVT0=0.927 VrT=0.448 m• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能
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2025-05-22 |
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ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25×103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V·专利自由漂浮硅技术·低导通损耗和开关损耗·环形闸极·工业标准外壳·宇宙辐射耐
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2025-05-21 |
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ABB IGBT模块5SNA 1000G650300
供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片组卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN
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2025-05-20 |
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ABB IGBT模块5SNA0600G650100
ABB IGBT模块5SNA0600G650100ABB HiPakTMIGBT Module5SNA 0600G650100VCE = 6500 VIC = 600 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组，电磁兼容性好高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板
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2025-05-16 |
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ABB IGBT模块5SNA0400J650100
ABB IGBT模块5SNA0400J650100ABB HiPakIGBT Module5SNA 0400J650100VCE = 6500 VI = 400 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组，电磁兼容性好高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板改
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2025-05-15 |
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