图片 |
标 题 |
更新时间 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 38Q4200 Phase Control Thyristor5STP 38Q4200VDRM=4200 VIT(*)M=4420 AIT(RMS)=6950 AITSM= 64.5·103AVT0=0.973 VrT=0.126 mW
|
2025-07-21 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 38N4200 Phase Control Thyristor5STP 38N4200VDRM=4200 VIT(*)M=4090 AIT(RMS)=6420 AITSM= 64.5·103AVT0=0.973 VrT=0.126 m
|
2025-07-18 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 28L4200 Phase Control Thyristor5STP 28L4200VDRM=4200 VIT(*)M=3290 AIT(RMS)=5160 AITSM= 54.0·103AVT0=1.03 VrT=0.138 mW
|
2025-07-17 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 18H4200 Phase Control Thyristor5STP 18H4200VDRM=4200 VIT(*)M=2170 AIT(RMS)=3400 AITSM= 32.0·103AVT0=0.982 VrT=0.274 mW
|
2025-07-16 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 12F4200 Phase Control Thyristor5STP 12F4200VDRM=4200 VIT(*)M=1190 AIT(RMS)=1860 AITSM= 17.3·103AVT0=1.01 VrT=0.545 mW
|
2025-07-15 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 04D4200 Phase Control Thyristor5STP 04D4200VDRM=4200 VIT(*)M=500 AIT(RMS)=785 AITSM= 7.1·103AVT0=1.14 VrT=1.288 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普通晶
|
2025-07-14 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 45Q2800 Phase Control Thyristor5STP 45Q2800VDRM=2800 VIT(*)M=5710 AIT(RMS)=8970 AITSM= 77.0·103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普
|
2025-07-11 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 45N2800 Phase Control Thyristor5STP 45N2800VDRM=2800 VIT(*)M=5250 AIT(RMS)=8240 AITSM= 77.0·103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普
|
2025-07-10 |