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日立能源ABB PCT二极管5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(*)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5·103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能
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2026-01-16 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 1800 V•IT*m= 1780 A•ITSM= 21000 A•VT0= 0.923 V•rT= 0.188 mΩ• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理
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2026-01-15 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNG 0750R170500
供应 ABB IGBT模块—5SNG 0750R170500ABB IGBT模块5SNG0750R1705005SNG 0750R170500LoPak1相腿IGBT模块VCE=1700伏集成电路=2x750安培用于可靠辅助触点的压配销低损耗、平滑切换的SPT++芯片组用于温度检测的NTC热敏电
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2026-01-14 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNG 0600R120501
ABB IGBT模块5SNG0600R1205015SNG0600R120501参数：1200V 2*600A主要用于通用变频器、电源等行业VCE = 1200 VIC = 2x 600 A可靠的辅助触点的压配合销超低损耗坚固的壕沟IGBT芯片组NTC热敏电阻用于低热阻性的铜基板行
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2026-01-13 |
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日立能源 5SNG 0450R170301
供应 ABB IGBT模块—5SNG 0450R170301ABB IGBT模块5SNG0450R1703015SNG 0450R170301LoPak1相腿IGBT模块VCE=1700伏集成电路=2x450安培用于可靠辅助触点的压配销低损耗、平滑切换的SPT++芯片组用于温度检测的NTC热敏电
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2026-01-12 |
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日立能源ABB PCT晶闸管 5STP 45Y8500
hase Control Thyristor5STP 45Y8500VDRM=8500 VIT(*)M=4450 AIT(RMS)=6990 AITSM= 90.0·103AVT0=1.06 VrT=0.168 mPatented free-floating silicon technologyLow on-state and switching lossesDesigned f
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2026-01-09 |
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日立能源ABB PCT晶闸管 5STP 27Q8500
Phase Control Thyristor5STP 27Q8500VDRM = 8500 VIT(A V)M = 2870 AIT(RMS) = 4510 AITSM = 64.0·103 AVT0 = 1.13 VrT = 0.394 mΩ• Patented free-floating silicon technology• Low on-state and switching l
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2026-01-08 |
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日立能源ABB PCT晶闸管 5STP 27N8500
Phase Control Thyristor5STP 27N8500VDRM=8500 VIT(*)M=2660 AIT(RMS)=4180 AITSM= 64.0·103AVT0=1.13 VrT=0.394 m•Patented free-floating silicon technology•Low on-state and switching losses•Designed
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2026-01-07 |
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