| 图片 |
标 题 |
更新时间 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 04D5200
Phase Control Thyristor5STP 04D5200VDRM = 5200 VIT(*)M = 420 AIT(RMS) = 650 AITSM = 6.1·103 AVT0 = 1.29 VrT = 1.917 mΩDoc. No. 5SYA1026-08 May. 20• Patented free-floating silicon technology• Low o
|
2025-12-10 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 38Q4200
Phase Control Thyristor5STP 38Q4200VDRM=4200 VIT(*)M=4420 AIT(RMS)=6950 AITSM= 64.5·103AVT0=0.973 VrT=0.126 mW
|
2025-12-09 |
 |
日立能源ABB PCT二极管 5STP 38N4200
Phase Control Thyristor5STP 38N4200VDRM=4200 VIT(*)M=4090 AIT(RMS)=6420 AITSM= 64.5·103AVT0=0.973 VrT=0.126 m
|
2025-12-08 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 28L4200
Phase Control Thyristor5STP 28L4200VDRM=4200 VIT(*)M=3290 AIT(RMS)=5160 AITSM= 54.0·103AVT0=1.03 VrT=0.138 mW
|
2025-12-05 |
 |
日立能源ABB PCT二极管 5STP 18H4200
VDRM=4200 VPhase Control Thyristor5STP 18H4200IT(A V)M=2170 AIT(RMS)=3400 AITSM= 32.0·103AVT0=0.982 VrT=0.274 mW
|
2025-12-03 |
 |
日立能源ABB PCT二极管 5STP 12F4200
Phase Control Thyristor5STP 12F4200VDRM=4200 VIT(*)M=1190 AIT(RMS)=1860 AITSM= 17.3·103AVT0=1.01 VrT=0.545 mW
|
2025-12-02 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 04D4200
Phase Control Thyristor5STP 04D4200VDRM=4200 VIT(A V)M=500 AIT(RMS)=785 AITSM= 7.1·103AVT0=1.14 VrT=1.288 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普通
|
2025-12-01 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 45Q2800
Phase Control Thyristor5STP 45Q2800VDRM=2800 VIT(*)M=5710 AIT(RMS)=8970 AITSM= 77.0·103AVT0=0.864 VrT=0.069 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应用而设计•z优的功率处理能力普
|
2025-11-28 |
产品分类