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日立能源ABB PCT二 极管5STP 17H5200
日立能源ABB PCT二极管5STP 17H5200Phase Control Thyristor5STP 17H5200VDRM = 5200 VIT(*)M = 1970 AIT(RMS) = 3090 AITSM = 34.0·103 AVT0 = 0.994 VrT = 0.343 mΩ· Patented free-floating silicon technolog
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2026-02-11 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 04D5200
日立能源ABB PCT二极管5STP 04D5200Phase Control Thyristor5STP 04D5200VDRM = 5200 VIT(A V)M = 420 AIT(RMS) = 650 AITSM = 6.1·103 AVT0 = 1.29 VrT = 1.917 mΩDoc. No. 5SYA1026-08 May. 20• Patented free-
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2026-02-10 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 38Q4200
日立能源ABB PCT二极管5STP 38Q4200Phase Control Thyristor5STP 38Q4200VDRM=4200 VIT(*)M=4420 AIT(RMS)=6950 AITSM= 64.5·103AVT0=0.973 VrT=0.126 mΩ•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和
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2026-02-09 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 38N4200
日立能源ABB PCT二极管5STP 38N4200Phase Control Thyristor5STP 38N4200VDRM=4200 VIT(*)M=4090 AIT(RMS)=6420 AITSM= 64.5·103AVT0=0.973 VrT=0.126 m•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和
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2026-02-06 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 28L4200
日立能源ABB PCT二极管5STP 28L4200Phase Control Thyristor5STP 28L4200VDRM=4200 VIT(*)M=3290 AIT(RMS)=5160 AITSM= 54.0·103AVT0=1.03 VrT=0.138 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工
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2026-02-05 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 18H4200
日立能源ABB PCT二极管5STP 18H4200Phase Control Thyristor5STP 18H4200VDRM=4200 VIT(*)M=2170 AIT(RMS)=3400 AITSM= 32.0·103AVT0=0.982 VrT=0.274 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工
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2026-02-04 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 12F4200
日立能源ABB PCT二极管5STP 12F4200Phase Control Thyristor5STP 12F4200VDRM=4200 VIT(*)M=1190 AIT(RMS)=1860 AITSM= 17.3·103AVT0=1.01 VrT=0.545 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工
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2026-02-03 |
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日立能源ABB PCT二极管 5STP 04D4200
日立能源ABB PCT二极管5STP 04D4200Phase Control Thyristor5STP 04D4200VDRM=4200 VIT(*)M=500 AIT(RMS)=785 AITSM= 7.1·103AVT0=1.14 VrT=1.288 mW•专利浮动硅技术•低导通损耗和开关损耗•为牵引、能源和工业应
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2026-02-02 |
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