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ABB GTO二极管5SGA 25H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2500 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO
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2025-04-01 |
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ABB GTO二极管5SGA 20H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2000 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技术低导通损耗和开关损耗环形闸极工业标准外壳宇宙辐射耐受等级门极可关断晶闸管（GTO
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2025-04-01 |
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ABB GTO二极管5SGA 15F2502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 15F2502VDRM=2500 VITGQM=1500 AITSM= 10×103AVT0=1.45 VrT=0.90 mWVDclink=1400 V· 专利自由漂浮硅技术· 低导通损耗和开关损耗· 环形闸极· 行业标准的外壳· 宇宙辐射
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2025-03-31 |
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ABB IGBT模块5SNA 1000G650300
供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片组卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN
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2025-03-31 |
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ABB IGBT模块5SNA 0750G650300
ABB IGBT模块5SNA0750G650300ABB HiPakIGBT Module5SNA 0750G650300VCE = 6500 VIC = 750 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组，电磁兼容性好高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板改
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2025-03-31 |
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ABB IGBT模块5SNA0600G650100
ABB IGBT模块5SNA0600G650100ABB HiPakTMIGBT Module5SNA 0600G650100VCE = 6500 VIC = 600 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组，电磁兼容性好高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板
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2025-03-28 |
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ABB IGBT模块5SNA0600G650100
ABB IGBT模块5SNA0600G650100ABB HiPakTMIGBT Module5SNA 0600G650100VCE = 6500 VIC = 600 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组，电磁兼容性好高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板
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2025-03-28 |
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ABB IGBT模块5SNA0600G650100
ABB IGBT模块5SNA0600G650100ABB HiPakTMIGBT Module5SNA 0600G650100VCE = 6500 VIC = 600 A低损耗、坚固耐用的SPT芯片组平滑切换SPT芯片组，电磁兼容性好高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板
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2025-03-28 |
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