| 图片 |
标 题 |
更新时间 |
 |
日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 1800 V•IT*m= 1780 A•ITSM= 21000 A•VT0= 0.923 V•rT= 0.188 mΩ• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理
|
2025-06-30 |
 |
日立能源ABB GTO二极管5SGF 30J4502
Gate turn-off Thyristor5SGF 30J4502PRELIMINARYVDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24 kAVT0= 1.80 VrT= 0.70 mΩVDClin= 3000 V·专利自由漂浮硅技术·低导通损耗和开关损耗·环形闸极·工业标准外壳·宇宙辐射耐受
|
2025-06-27 |
 |
日立能源ABB GTO二极管5SGA 06D4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 06D4502PRELIMINARYVDRM=4500 VITGQM=600 AITSM=3×103AVT0=1.9 VrT=3.5 mWVDclink=2800 V·专利自由浮动硅技术·低导通状态和开关损耗·中心栅电极·行业标准外壳·抗宇宙辐
|
2025-06-26 |
 |
日立能源ABB IGBT模块5SNA 1000G650300
供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片组卓樾的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于低热阻和高功率循环能力的AlSiC基板和AlN
|
2025-06-25 |
 |
日立能源ABB IGBT模块5SNA0500J650300
ABB IGBT模块5SNA0500J6503005SNA 0500J650300HiPak IGBT ModuleVCE = 6500 VIC = 500 A超低损耗、坚固耐用的SPT+芯片组平滑切换SPT+芯片组，实现良好的EMC高绝缘封装用于高功率循环能力的AlSiC基板低热阻氮化铝基板
|
2025-06-24 |
 |
日立能源ABB IGBT模块5SNA1500G450350
ABB IGBT模块5SNA1500G4503505SNA 1500G450350HiPak IGBT ModuleVCE = 4500 VIC = 1500 A超低损耗SPT++技术具有增加的二极管面积的非常软开关FCE二极管卓悦的坚固性和高的额定电流高绝缘封装用于高功率循环能力的AlS
|
2025-06-23 |
 |
日立能源ABB IGBT模块5SNA0800J450300
ABB IGBT模块5SNA0800J450300价格：电议/面议起订量： 1供货总量： 999发货***包装说明:： 盒装产品规格： 只日期： 2024ABB HiPak IGBT Module5SNA 0800J450300VCE = 4500 VIC = 800 A超低损耗、坚固耐用的SPT+芯片
|
2025-06-20 |
 |
日立ABB IGBT模块5SLG0600P450300
价格：电议/面议起订量： 1供货总量： 999发货***包装说明:： 盒装产品规格： 只日期： 20245SLG 0600P450300HiPak DIODE ModuleVRRM = 4500 VIF = 2 x 600 A超低损耗、坚固耐用的SPT+二极管平滑开关SPT+二极管，实
|
2025-06-19 |
产品分类