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日立能源ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristor•VDRM, VRRM= 1800 V•IT*m= 1780 A•ITSM= 21000 A•VT0= 0.923 V•rT= 0.188 mΩ• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理
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2025-11-14 |
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日立能源ABB PCT二极管5STP 07D1800
Phase Control Thyristor5STP 07D1800VDRM=1800 VIT(*)M=760 AIT(RMS)=1190 AITSM= 9.0·103AVT0=0.927 VrT=0.448 m• 专利浮动硅技术• 低导通损耗和开关损耗• 为牵引、能源和工业应用而设计• z优的功率处理能
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2025-11-13 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGF 40L4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGF 40L4502VDRM=4500 VITGQM=4000 AITSM= 25×103AVT0=1.2 VrT=0.65 mWVDclink=2800 V·专利自由漂浮硅技术·低导通损耗和开关损耗·环形闸极·工业标准外壳·宇宙辐射耐受等级
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2025-11-12 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25×103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V·专利自由漂浮硅技术·低导通损耗和开关损耗·环形闸极·工业标准外壳·宇宙辐射耐
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2025-11-11 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 30J4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24×103AVT0= 2.2 VrT= 0.6 mΩVDclink= 2800 V•专利的自由浮动硅技术•低导通状态和开关损耗•环形栅电极•行业标准外壳•抗宇宙辐
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2025-11-10 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 30J4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24×103AVT0= 2.2 VrT= 0.6 mΩVDclink= 2800 V•专利的自由浮动硅技术•低导通状态和开关损耗•环形栅电极•行业标准外壳•抗宇宙辐
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2025-11-06 |
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日立能源ABB GTO二极管5SGA 06D4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 06D4502PRELIMINARYVDRM=4500 VITGQM=600 AITSM=3×103AVT0=1.9 VrT=3.5 mWVDclink=2800 V·专利自由浮动硅技术·低导通状态和开关损耗·中心栅电极·行业标准外壳·抗宇宙辐
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2025-11-05 |
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日立能源ABB IGBT模块5SNA2400E170305
ABB IGBT模块5SNA2400E170305价格：电议/面议起订量： 1供货总量： 999发货***包装说明:： 盒装产品规格： 只日期： 20245SNA 2400E170305HiPak IGBT 模块VCE = 1700 VIC = 2400 A超低损耗、坚固耐用的SPT+芯片组平
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2025-11-04 |
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